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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

메모리 통합 회로 EDB2432B4MA-1DAAT-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 EDFA164A2MA-JD-F-D

메모리 통합 회로 EDFA164A2MA-JD-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 NAND128W3AABN6F TR

메모리 통합 회로 NAND128W3AABN6F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	50 나노 초

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메모리 통합 회로 N25Q128A31EF840E

메모리 통합 회로 N25Q128A31EF840E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q512A13GSFA0F TR

메모리 통합 회로 N25Q512A13GSFA0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 DC0232A-D

메모리 통합 회로 DC0232A-D

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 EDF8132A3MA-JD-F-D

메모리 통합 회로 EDF8132A3MA-JD-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 N25Q256A13E12A0F TR

메모리 통합 회로 N25Q256A13E12A0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q128A11ESECFE

메모리 통합 회로 N25Q128A11ESECFE

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q064A13ESEA0F TR

메모리 통합 회로 N25Q064A13ESEA0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q064A11ESECFE

메모리 통합 회로 N25Q064A11ESECFE

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q064A13E12A0F TR

메모리 통합 회로 N25Q064A13E12A0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT52L1G32D4PG-093 WT ES:B

메모리 통합 회로 MT52L1G32D4PG-093 WT ES:B

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR3
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 N25Q032A13EF4A0F TR

메모리 통합 회로 N25Q032A13EF4A0F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
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