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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT48H16M32L2F5-8 IT TR

메모리 통합 회로 MT48H16M32L2F5-8 IT TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-075E AIT:B

메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-075E AIT:B

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT45W1MW16BABB-706 WT TR

메모리 통합 회로 MT45W1MW16BABB-706 WT TR

기술 :: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 70 나노 초
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메모리 통합 회로 MTFC4GMDEA-1M WT

메모리 통합 회로 MTFC4GMDEA-1M WT

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT48H16M32L2F5-10 IT TR

메모리 통합 회로 MT48H16M32L2F5-10 IT TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-083E AIT:B

메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-083E AIT:B

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT28F320J3FS-11 ET TR

메모리 통합 회로 MT28F320J3FS-11 ET TR

기술 :: 플래시
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 NAND512W3A2SE06

메모리 통합 회로 NAND512W3A2SE06

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48H16M32L2B5-8 IT TR

메모리 통합 회로 MT48H16M32L2B5-8 IT TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-075E AIT:B

메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-075E AIT:B

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 NAND512R3A2SE06

메모리 통합 회로 NAND512R3A2SE06

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
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메모리 통합 회로 MT48H16M32L2B5-10 IT TR

메모리 통합 회로 MT48H16M32L2B5-10 IT TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPSDR
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 M25P80-VMP6T TR

메모리 통합 회로 M25P80-VMP6T TR

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 15명의 부인 콤마 5 부인
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메모리 통합 회로 MT40A2G8FSE-093E:A

메모리 통합 회로 MT40A2G8FSE-093E:A

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: -
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메모리 통합 회로 NAND128W3AABN6E

메모리 통합 회로 NAND128W3AABN6E

기술 :: 플래시 - NAND
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 50 나노 초
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