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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

메모리 통합 회로 MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q

메모리 통합 회로 MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 M25P20-VMP6

메모리 통합 회로 M25P20-VMP6

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15명의 부인 콤마 5 부인

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메모리 통합 회로 MT47H256M4BT-37E:A

메모리 통합 회로 MT47H256M4BT-37E:A

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08AFAAAWP:A TR

메모리 통합 회로 MT29F64G08AFAAAWP:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 TE28F160B3BD70A

메모리 통합 회로 TE28F160B3BD70A

기술 ::	플래시 - 부트 블록
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	70 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V

메모리 통합 회로 MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

메모리 통합 회로 MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H128M8BT-5E:A

메모리 통합 회로 MT47H128M8BT-5E:A

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 TE28F160C3BD90A

메모리 통합 회로 TE28F160C3BD90A

기술 ::	플래시 - 부트 블록
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	90ns

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메모리 통합 회로 MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y

메모리 통합 회로 MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y

기술 ::	플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F32G08ABAAAWP:A TR

메모리 통합 회로 MT29F32G08ABAAAWP:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H128M4CB-3:B TR

메모리 통합 회로 MT47H128M4CB-3:B TR

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C

메모리 통합 회로 MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C

기술 ::	플래시 - NAND, DRAM - LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

메모리 통합 회로 MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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