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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.
메모리 통합 회로 MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

메모리 통합 회로 MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

기술 :: SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F128J3BS-12 MET

메모리 통합 회로 MT28F128J3BS-12 MET

기술 :: 플래시
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT44K64M18RB-107E IT:A TR

메모리 통합 회로 MT44K64M18RB-107E IT:A TR

기술 :: DRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 TET

메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 TET

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 80 나노 초
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메모리 통합 회로 MT44K32M36RB-083E:A TR

메모리 통합 회로 MT44K32M36RB-083E:A TR

기술 :: DRAM
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 BET

메모리 통합 회로 MT28F008B5VG-8 BET

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 80 나노 초
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메모리 통합 회로 MT41K256M8DA-107 IT:K TR

메모리 통합 회로 MT41K256M8DA-107 IT:K TR

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F008B3VP-9 B

메모리 통합 회로 MT28F008B3VP-9 B

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 90ns
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메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-125 AUT:K TR

메모리 통합 회로 MT41K128M16JT-125 AUT:K TR

기술 :: SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 T

메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 T

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 90ns
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메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

메모리 통합 회로 MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
Factory Stock :: 0
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메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 B

메모리 통합 회로 MT28F008B3VG-9 B

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 90ns
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메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-062E IT:B TR

메모리 통합 회로 MT40A512M16JY-062E IT:B TR

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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메모리 통합 회로 MT28F004B5VG-8 TET

메모리 통합 회로 MT28F004B5VG-8 TET

기술 :: 플래시 -도 또한
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 비휘발성입니다
Factory Stock :: 0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: 80 나노 초
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메모리 통합 회로 MT40A2G4WE-075E:D TR

메모리 통합 회로 MT40A2G4WE-075E:D TR

기술 :: SDRAM - DDR4
상품 카테고리 :: 메모리 ics
기억 영역형 :: 휘발성 물질
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