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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR

메모리 통합 회로 MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14.4ns

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메모리 통합 회로 JS28F128P30B85A

메모리 통합 회로 JS28F128P30B85A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	85ns

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메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6:G TR

메모리 통합 회로 MT48LC4M32B2P-6:G TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

메모리 통합 회로 MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46V32M16CY-5B L IT:J

메모리 통합 회로 MT46V32M16CY-5B L IT:J

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MTFC8GLDDQ-4M IT

메모리 통합 회로 MTFC8GLDDQ-4M IT

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

메모리 통합 회로 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR

메모리 통합 회로 MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14ns

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메모리 통합 회로 MTFC16GJGEF-AIT Z

메모리 통합 회로 MTFC16GJGEF-AIT Z

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

메모리 통합 회로 MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT48LC128M4A2P-75:C TR

메모리 통합 회로 MT48LC128M4A2P-75:C TR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46V16M16P-6T IT:F TR

메모리 통합 회로 MT46V16M16P-6T IT:F TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C

메모리 통합 회로 MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14.4ns

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메모리 통합 회로 MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

메모리 통합 회로 MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
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