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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

메모리 통합 회로 MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT46V32M8P-6T IT:G TR

메모리 통합 회로 MT46V32M8P-6T IT:G TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

메모리 통합 회로 MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	14.4ns

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메모리 통합 회로 MTFC32GJGEF-AIT Z TR

메모리 통합 회로 MTFC32GJGEF-AIT Z TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

메모리 통합 회로 MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2P-75:GTR

메모리 통합 회로 MT48LC16M8A2P-75:GTR

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR

메모리 통합 회로 MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR

메모리 통합 회로 MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR

기술 ::	플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT46V64M4BG-6:GTR

메모리 통합 회로 MT46V64M4BG-6:GTR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46V32M8P-5B:GTR

메모리 통합 회로 MT46V32M8P-5B:GTR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46V32M16CV-5B:J TR

메모리 통합 회로 MT46V32M16CV-5B:J TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR

메모리 통합 회로 MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR

메모리 통합 회로 MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT46V16M8P-6TL:DTR

메모리 통합 회로 MT46V16M8P-6TL:DTR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H32M9FM-33:B TR

메모리 통합 회로 MT49H32M9FM-33:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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