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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR

메모리 통합 회로 MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46V128M4TG-6T:F TR

메모리 통합 회로 MT46V128M4TG-6T:F TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT46V64M8TG-5B:J TR

메모리 통합 회로 MT46V64M8TG-5B:J TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 25Q28

메모리 통합 회로 25Q28

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR

메모리 통합 회로 MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H64M8CB-37E IT:B

메모리 통합 회로 MT47H64M8CB-37E IT:B

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR

메모리 통합 회로 MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR

기술 ::	플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT41K128M8JP-125:G TR

메모리 통합 회로 MT41K128M8JP-125:G TR

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P

메모리 통합 회로 MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-5E L:B

메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-5E L:B

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR

메모리 통합 회로 MT25QU01GBBB8E12-0AUT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-3E:B

메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-3E:B

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CFACAWP-Z:C

메모리 통합 회로 MT29F64G08CFACAWP-Z:C

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR

메모리 통합 회로 MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 EDB8164B4PT-1D-F-R TR

메모리 통합 회로 EDB8164B4PT-1D-F-R TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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