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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-37E IT:B

메모리 통합 회로 MT47H32M16CC-37E IT:B

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C

메모리 통합 회로 MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F512G08AUEBBH8-12:B

메모리 통합 회로 MT29F512G08AUEBBH8-12:B

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT47H128M8BT-3 L:A

메모리 통합 회로 MT47H128M8BT-3 L:A

기술 ::	SDRAM - DDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MTFC128GAOANEA-WT

메모리 통합 회로 MTFC128GAOANEA-WT

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46V64M8P-6T L:F TR

메모리 통합 회로 MT46V64M8P-6T L:F TR

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CBAABWP-12Z:A

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBAABWP-12Z:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT53D1G64D8SQ-053 WT:E

메모리 통합 회로 MT53D1G64D8SQ-053 WT:E

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT46V64M8P-5B:F

메모리 통합 회로 MT46V64M8P-5B:F

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F64G08AEAAAC5:A

메모리 통합 회로 MT29F64G08AEAAAC5:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT46V64M8BN-5B:F

메모리 통합 회로 MT46V64M8BN-5B:F

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	15 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A

메모리 통합 회로 MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT46V64M16P-75:A

메모리 통합 회로 MT46V64M16P-75:A

기술 ::	SDRAM - DDR
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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