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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT41K256M16HA-107:E

메모리 통합 회로 MT41K256M16HA-107:E

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT29F512G08CUCABH3-10:A TR

메모리 통합 회로 MT29F512G08CUCABH3-10:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

메모리 통합 회로 MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q128A13BSF40F TR

메모리 통합 회로 N25Q128A13BSF40F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29F256G08CJAAAWP:A TR

메모리 통합 회로 MT29F256G08CJAAAWP:A TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PZ28F064M29EWBA

메모리 통합 회로 PZ28F064M29EWBA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR

메모리 통합 회로 MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F640J3F75A

메모리 통합 회로 PC28F640J3F75A

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	75 나노 초

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메모리 통합 회로 MT41K512M8V00HWC1

메모리 통합 회로 MT41K512M8V00HWC1

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 PC28F064M29EWLA

메모리 통합 회로 PC28F064M29EWLA

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F128G08AMCABK3-10:A

메모리 통합 회로 MT29F128G08AMCABK3-10:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 NAND512W3A2SNXE

메모리 통합 회로 NAND512W3A2SNXE

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	50 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

메모리 통합 회로 MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 NAND128W3A2BNXE

메모리 통합 회로 NAND128W3A2BNXE

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	50 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F32G08ABEABM73A3WC1

메모리 통합 회로 MT29F32G08ABEABM73A3WC1

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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