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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 N25Q128A13E1241E

메모리 통합 회로 N25Q128A13E1241E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29F16G08ABACAM72A3WC1

메모리 통합 회로 MT29F16G08ABACAM72A3WC1

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q064A13ESE40F TR

메모리 통합 회로 N25Q064A13ESE40F TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

메모리 통합 회로 MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT41K256M16HA-125 XIT:E

메모리 통합 회로 MT41K256M16HA-125 XIT:E

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 N25Q064A13EF640E

메모리 통합 회로 N25Q064A13EF640E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 N25Q064A11ESE40G

메모리 통합 회로 N25Q064A11ESE40G

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 D9PZQ

메모리 통합 회로 D9PZQ

기술 ::	SDRAM - DDR3L
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 N25Q032A13ESC40G

메모리 통합 회로 N25Q032A13ESC40G

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

메모리 통합 회로 MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 N25Q032A13E1240E

메모리 통합 회로 N25Q032A13E1240E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT29F512G08CMECBH7-12:C

메모리 통합 회로 MT29F512G08CMECBH7-12:C

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR

메모리 통합 회로 MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8명의 부인 콤마 2.8 부인

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메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L

메모리 통합 회로 MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L

기술 ::	SDRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	12 나노 초

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메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCBBH1-10:B

메모리 통합 회로 MT29F64G08CBCBBH1-10:B

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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