IC 통합 회로 EPCQ64ASI16N SOIC-16 구성 메모리
| ROHS: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | SOIC-16 |
| 양 공장 팩: | 44 |
| 제품 종류: | 정보 메모리 |
| ROHS: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | SOIC-16 |
| 양 공장 팩: | 44 |
| 제품 종류: | 정보 메모리 |
| 엠에프르. #: | NCP1345Q02D1R2G |
|---|---|
| 엠에프르.: | 온새미 |
| 기술: | 오프라인 USB-PD와 USB 타입-C 주파수 변환 장치를 위한 교환기들 초집적화되 쿼지 레조넌트 플라이백 제어기. AGD-3번째 밸리, 주파수 Foldback-350 mV, DC |
| 공장 준비 시간: | 32 주 |
| 엠에프르. #: | TCAN1462VDRQ1 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 기술: | 깡통은 IC 자동차 신호 향상 깡통 FD 송수신기를 가상 입출력과 대기와 공유합니다 |
| 공장 준비 시간: | 11 주 |
| 엠에프르. #: | TLC6A598MDWR |
|---|---|
| 엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 기술: | 항공 전자 적용을 위한 반대 전환 레지스터 고전력 8비트 위상 편위 높은 신뢰도 운전자 |
| 공장 준비 시간: | 12 주 |
| 로에스: | 납프리 |
|---|---|
| 증가하는 방식: | SMD / SMT |
| 패키지: | SOIC-16 |
| 시리즈: | ISO5452-Q1 |
| 양 공장 팩: | 2000 |
| 엠에프르. #: | AT17LV256-10SU |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | FPGA - 구성 메모리 256KB EEPROM 8 PIN LAP 10MHZ |
| 공장 준비 시간: | 50 주 |
| 엠에프르. #: | AT17LV256-10NU |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | FPGA - 구성 메모리 256KB EEPROM 8 PIN LAP 10MHZ |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT17LV256-10NU-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | FPGA - 구성 메모리 256KB EEPROM 8 PIN LAP 10MHZ |
| 공장 준비 시간: | 52 주 |
| 엠에프르. #: | ATF16V8CZ-15SU |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | EEPLD - 전자적으로 소거 가능한 프로그램 가능 논리 장치 15ns 8 I/O 핀 8 macorcells 8 reg |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | ATF16V8B-15SU |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | EEPLD - 전자적으로 소거 가능한 프로그램 가능 논리 장치 15ns 20 I/O 핀 8 macorcells 8 reg |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB021E-SSHNHC-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 2 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), 85C,512 바이트 2원체 페이지 모드에 대한 -40C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB161E-SHF-B |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (관), 한 개의 SPI 데이터플래시 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB081E-SSHNHC-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 8 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DQ321-SHF2B-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 릴 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
