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キーワード [ soic 8 ic integrated circuits ] 一致 6714 製品.
IC 集積回路 EPCQ64ASI16N SOIC-16 構成メモリ

IC 集積回路 EPCQ64ASI16N SOIC-16 構成メモリ

ROHS: 自由なPB
マウントスタイル: SMD/SMT
パッケージ: SOIC-16
工場パックの量: 44
製品タイプ: 構成記憶
接触
IC統合回路 AD637JR SOIC-16

IC統合回路 AD637JR SOIC-16

ROHS: 自由なPB
マウントスタイル: SMD/SMT
パッケージ: SOIC-16
工場パックの量: -
シリーズ: -
接触
ICの集積回路NCP1345Q02D1R2G SOIC-9 PMIC -力管理IC

ICの集積回路NCP1345Q02D1R2G SOIC-9 PMIC -力管理IC

Mfr。#: NCP1345Q02D1R2G
Mfr。: onsemi
記述: スイッチ・コントローラは非常にオフ・ラインUSB-PDおよびUSBのタイプC周波数変換装置のための疑似共鳴フライバックのコントローラーを統合した。AGD第3谷、頻度Foldback350 mV、DC入
工場リードタイム: 32週
接触
ICの集積回路TCAN1462VDRQ1 SOIC-8インターフェイスIC

ICの集積回路TCAN1462VDRQ1 SOIC-8インターフェイスIC

Mfr。#: TCAN1462VDRQ1
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: 缶インターフェイスIC VIOおよびスタンバイが付いている自動車信号の改善の缶FDのトランシーバー
工場リードタイム: 11週
接触
ICの集積回路TLC6A598MDWR SOIC-24の論理IC

ICの集積回路TLC6A598MDWR SOIC-24の論理IC

Mfr。#: TLC6A598MDWR
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: カウンターのシフト レジスタの高い発電の航空電子工学の適用のための8ビット偏移高信頼性の運転者
工場リードタイム: 12週
接触
ICの集積回路ISO5452QDWRQ1 SOIC-16はゲートの運転者を隔離した

ICの集積回路ISO5452QDWRQ1 SOIC-16はゲートの運転者を隔離した

RoHS: 自由なPB
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ: SOIC-16
シリーズ: ISO5452-Q1
工場パックの量: 2000年
接触
ICの集積回路AT17LV256-10SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

ICの集積回路AT17LV256-10SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

Mfr。#: AT17LV256-10SU
Mfr。: マイクロチップ・テクノロジー
記述: FPGA - コンフィギュレーション メモリ 256KB EEPROM 8 ピン LAP 10MHZ
工場リードタイム: 50週
接触
ICの集積回路AT17LV256-10NUのSOIC狭く8プログラム可能な論理IC

ICの集積回路AT17LV256-10NUのSOIC狭く8プログラム可能な論理IC

Mfr。#: AT17LV256-10NU
Mfr。: マイクロチップ・テクノロジー
記述: FPGA - コンフィギュレーション メモリ 256KB EEPROM 8 ピン LAP 10MHZ
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT17LV256-10NU-TのSOIC狭く8プログラム可能な論理IC

ICの集積回路AT17LV256-10NU-TのSOIC狭く8プログラム可能な論理IC

Mfr。#: AT17LV256-10NU-T
Mfr。: マイクロチップ・テクノロジー
記述: FPGA - コンフィギュレーション メモリ 256KB EEPROM 8 ピン LAP 10MHZ
工場リードタイム: 52週
接触
ICの集積回路ATF16V8CZ-15SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

ICの集積回路ATF16V8CZ-15SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

Mfr。#: ATF16V8CZ-15SU
Mfr。: マイクロチップ・テクノロジー
記述: EEPLD - 電子的に消去可能なプログラマブル ロジック デバイス 15 ns 8 I/O ピン 8 macorcells 8 reg
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路ATF16V8B-15SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

ICの集積回路ATF16V8B-15SU SOIC-20のプログラム可能な論理IC

Mfr。#: ATF16V8B-15SU
Mfr。: マイクロチップ・テクノロジー
記述: EEPLD - 電子的に消去可能なプログラマブル ロジック デバイス 15 ns 20 I/O ピン 8 macorcells 8 reg
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ2 Mbit、広くVcc (1.65Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFla
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB161E-SHF-B
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ16 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil (管)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ8 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlas
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-W 208mil (テープ&巻き枠は)、クォード モード、単一の、
工場リードタイム:
接触
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