| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 200V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.3V @ 3A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 75V에서 500nA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 100mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 75V에서 500nA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 100mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 20V에서 1mA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 450mV @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 400V에서 500nA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.3V @ 3A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50V에서 100μA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 400mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 75V에서 500nA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 100mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1.6V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 400V에서 10μA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.25V @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1200 Ｖ에 있는 200 uA |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.8 50 A에 있는 Ｖ |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 작동 온도 - 결합: | - |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 튜브 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100 Ｖ에 있는 1 uA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 875mV @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1μA @ 1000V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 9A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.6V @ 2mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-4 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 400V에서 1μA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.5V @ 9A |
