| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire. |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.3 V @ 3 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 mA @ 20 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 450 mV @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.3 V @ 3 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el siguiente: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 400 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 1.6V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 10 μA @ 400 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.25 V @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1,8 V @ 50 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Temperatura de funcionamiento - empalme: | - |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | El tubo |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 µA @ 100 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 875 mV @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 9 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2.6V @ 2mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-4 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 9 A |
