IC 통합 회로 24LC22A-I/P
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 4V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 6.2 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 13.7V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 18V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 11.4V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 15 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 3V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.6 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 1μA @ 9.1V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 12 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 5μA @ 2V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.1 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 8Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 1V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 4.3V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 8V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 10 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |