IC วงจรบูรณาการ 24LC22A-I/P
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 1Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 4 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 6.2 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 13.7 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 18 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 11.4 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 15 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 3 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.6 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 9.1 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 2 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.1 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 1 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 4.3 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 8 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 10 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |