IC 통합 회로 34AA04-E/ST
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 27.4V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 36 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10nA @ 35.75V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 47 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 8Mbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 트레이 |
시리즈: | SST39 MPFTM |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10nA @ 32.65V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 43V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 18.2V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 24 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 12.2 V에 있는 5 uA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 16 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10nA @ 29.65V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 39 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 16Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10nA @ 27.38V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 36 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 8.4V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 11 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |