IC วงจรบูรณาการ 34AA04-E/ST
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 27.4 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 36 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 นาโนแอ @ 35.75 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 47 ว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 8 เมกะบิต |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ตะกร้า |
| ซีรี่ย์: | SST39 MPF™ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 nA @ 32.65 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 43 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 18.2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 24 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 12.2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 16 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 nA @ 29.65 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 39 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 nA @ 27.38 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 36 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 8.4 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 11 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
