IC 통합 회로 93C46CT-E/ST
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 14.44V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 19 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 2V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.6 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 13.37V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 18V |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 122V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 170 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 12.92V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 17 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 65.5V에서 500nA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 91 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 12.15V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 16 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
