IC 통합 회로 1N4758PE3/TR8
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 42.6V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 56 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 42.6V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 56 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 트레이 |
시리즈: | SST38 |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 16.7V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 22 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 27.4V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 36 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 15.2V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 20 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 16.7V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 22 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 13.7V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 18V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 트레이 |
시리즈: | SST39 MPFTM |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |