IC 통합 회로 1N4745PE3/TR8
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 12.2 V에 있는 5 uA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 16 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 12.2 V에 있는 5 uA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 16 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 1Mbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 64Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 트레이 |
시리즈: | SST39 MPFTM |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 1Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 12.2V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 16 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 9.1V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 12 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 2Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 11.4V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 15 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 6V에서 10μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 8.2 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 트레이 |
시리즈: | SST39 MPFTM |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
---|---|
메모리 용량: | 4Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
---|---|
제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 2V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.6 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |