IC 통합 회로 SMAJ4751AE3/TR13
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 22.8V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 30V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 22.8V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 30V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 10μA @ 2V |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 5.6 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 64Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 18.2V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 24 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 5.2V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 6.8 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 16.7V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 22 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 8Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 121.6V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 160V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 64Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 15.2V에서 5μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 20 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 91.2V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 120 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
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제품 상태: | 액티브 |
경향 - Vr에 있는 역누출: | 69.2V에서 1μA |
전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 91 V |
전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 200mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
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메모리 용량: | 1Kbit |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |