IC 집적 회로 GW1NR-UV9QN88PC6/I5 프로그래머블 로직 ICs
엠에프르. #: | GW1NR-UV9QN88PC6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | GW1NR-UV9QN88PC6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | GW1NR-LV4QN88C6/I5 |
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엠에프르.: | 고윈반도체 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
엠에프르. #: | LFE5U-12F-6MG285C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 격자 ECP5; 12k LUT; 1.1V |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5UM-85F-8BG381C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 격자 ECP5; 83.6K LUT; 1.1V; 세르데스 |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LFE5U-45F-7BG256I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 격자 ECP5; 43.8K LUT 1.1V |
공장 준비 시간: | 55 주 |
엠에프르. #: | ICE40HX4K-BG121 |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 iCE40 HX 초저전력, 3520 LUT, 1.2V |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | LCMXO256C-4TN100I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 256 LUT 78 IO 1.8/2 .5/3.3V -4 Spd I |
공장 준비 시간: | 81 주 |
엠에프르. #: | LCMXO3L-9400C-5BG484C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 격자 MachXO3L; 9400 LUT; 3.3V |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | A3P030-1VQG100I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 A3P030-1VQG100I 무연 |
공장 준비 시간: | 61 주 |
엠에프르. #: | eX256-TQG100I |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 eX256-TQG100I 무연 |
공장 준비 시간: | 18 주 |
엠에프르. #: | LFE2M20SE-7FN484C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 19K LUT 304 I/O S-Ser SERD DSP -7 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LCMXO2-1200ZE-2TG100I |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 1280 LUT 80 I/O 1.2V -2 SPD |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LCMXO2-1200ZE-2TG144C |
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엠에프르.: | 레티스 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 1280 LUT 108 I/O 1.2V -2 SPD |
공장 준비 시간: | 53 주 |
엠에프르. #: | EP2C8F256C6N |
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엠에프르.: | 인텔 / 알테라 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 78주 |
엠에프르. #: | EP2C15AF484I8N |
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엠에프르.: | 인텔 / 알테라 |
기술: | FPGA - 필드 프로그래머블 게이트 어레이 |
공장 준비 시간: | 77 주 |