메모리 통합 회로 MT29F2T08CUCBBK9-37:B
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
| 공장 재고 :: | 0 |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | - |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | - |
| 공장 재고 :: | |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
| 기술 :: | SDRAM |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
| 기억 영역형 :: | 휘발성 |
| 설치 유형:: | 표면 마운트 |
| 메모리 형식:: | 드라마 |
| 패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
|---|---|
| 상품 카테고리 :: | DRAM |
| 공급전류 - 맥스 :: | 110 마 |
| 조직 :: | 512 Ｍ Ｘ 16 |
| 공급 전압 - 맥스 :: | 1.26 Ｖ |
| 패키지 :: | BGA |
|---|---|
| 패키징하는 것 :: | 테이프 & ; 릴 (TR) |
| 상품 카테고리 :: | 반도체-집적회로 - IC |
| 로에스 :: | 이용 가능한 100% 그린 |
| 제조사 :: | 마이크론 테크놀러지 |
