IC 통합 회로 APT10026L2FLLG
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.9V @ 4mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP4 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 2.5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 2.5mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 2.5mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 2.5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
