IC 통합 회로 MIC2619YD6-TR
| 분류: | 집적 회로 (ICs) 전원관리 (PMIC) 전압 조절기 - DC DC 교환 조절기 |
|---|---|
| 동기 정류기: | 아니 |
| 주파수 - 스위칭: | 1.2MHz |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-23-6 씬, TSOT-23-6 |
| 분류: | 집적 회로 (ICs) 전원관리 (PMIC) 전압 조절기 - DC DC 교환 조절기 |
|---|---|
| 동기 정류기: | 아니 |
| 주파수 - 스위칭: | 1.2MHz |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-23-6 씬, TSOT-23-6 |
| 분류: | 집적 회로 (ICs) 전원관리 (PMIC) 전압 조절기 - DC DC 교환 조절기 |
|---|---|
| 동기 정류기: | 네 |
| 주파수 - 스위칭: | 500kHz |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | 8-VFDFN 노출 패드 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 1.2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 30mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 50nC @ 12V |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 트레이 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 20mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 20mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 30mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 10mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 20mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 15mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 12mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 10mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 2.5mA |
| 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | sp1 |
