| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - ตัวควบคุมการสลับ DC DC |
|---|---|
| วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัส: | ไม่ |
| ความถี่ - การสลับ: | 1.2MHz |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-23-6 แบบบาง TSOT-23-6 |
| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - ตัวควบคุมการสลับ DC DC |
|---|---|
| วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัส: | ใช่ |
| ความถี่ - การสลับ: | 500KHz |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-VFDFN แผ่นสัมผัส |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 1.2V @ 250µA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 30mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 50 nC @ 12 V |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ตะกร้า |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 20mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 20mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 30mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 10mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 20mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 15mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4V @ 12mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 10mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SP6 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 2.5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | เอสพี1 |
