IC วงจรบูรณาการ APT30M19JVR
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 2.5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 3.9V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | เอสพี1 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 2.5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 2.5mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2.7V @ 4.5mA (ชนิด) |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-268-3, D³Pak (2 สาย + แถบ), TO-268AA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 4V @ 2.5mA |
