IC 집적 회로 AM2432BSFFHIALV FCBGA-441 마이크로컨트롤러 - MCU
| 엠에프르. #: | AM2432BSFFHIALV |
|---|---|
| 엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 기술: | 무기 마이크로컨트롤러 - 산업적 통신과 MCU 듀얼 코어되 무기 Cortex-R5F-based MCU와 안전부 최고 800까지 마하즈 441 FCBGA -40 내지 125 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | AM2432BSFFHIALV |
|---|---|
| 엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
| 기술: | 무기 마이크로컨트롤러 - 산업적 통신과 MCU 듀얼 코어되 무기 Cortex-R5F-based MCU와 안전부 최고 800까지 마하즈 441 FCBGA -40 내지 125 |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | M74VHC1GT00DFT2G-L22038 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 온새미 |
| 기술: | 논리 게이트 한 개의 2-입력 낸드 게이트 TTL 레벨 |
| 공장 준비 시간: | 27 주 |
| 엠에프르. #: | NCD57530DWKR2G |
|---|---|
| 엠에프르.: | 온새미 |
| 기술: | 절연 게이트 드라이버는 >와 듀얼-채널 IGBT 게이트 드라이버를 분리했습니다 ;8 밀리미터 크리페이지와 제거 |
| 공장 준비 시간: | 15주 |
| 엠에프르. #: | IPS1025HFQ |
|---|---|
| 엠에프르.: | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 기술: | 파워 스위치 아이씨 - 배전 고효율 고위 측 스위치 외부 진단, 현명한 구동캡 하중 |
| 엠에프르. #: | ADCA5191ACPZ |
|---|---|
| 엠에프르.: | 아날로그 디바이스주 |
| 기술: | rf 증폭기 CATV 푸쉬풀 방식 드라이버, |
| 공장 준비 시간: | 13 주 |
| 엠에프르. #: | PIC16F18044 I / 그렇게 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | 8 비트 마이크로컨트롤러 - MCU 7KB 플래시, 128EE, 512B RAM, 10b ADC, PWM, CCP, HLT, WDT, PPS, EUSART, SPI/I2C |
| 공장 준비 시간: | 52 주 |
| 엠에프르. #: | R5F56609BDFP#30 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 전자공학 |
| 기술: | 32 비트 마이크로컨트롤러 - MCU 32BIT MCU RX660 1MB LFQFP100 -40/+85C |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AVR32DD28-I / SS |
|---|---|
| 엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
| 기술: | 8 비트 마이크로컨트롤러 - MCU 32KB, 4KB RAM, 28p, 24MHz, MVIO, 12b ADC, ZCD, DAC, 2xUART, SPI, TWI |
| 공장 준비 시간: | 15주 |
| 엠에프르. #: | BTG70501EPLXUMA1 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 인피니언 테크놀러지 |
| 기술: | 파워 스위치 IC - 파워 분배 |
| 공장 준비 시간: | 39 주 |
| 엠에프르. #: | NCP1618HDR2G |
|---|---|
| 엠에프르.: | 온새미 |
| 기술: | 역률 보정 - PFC 다중 모드 (크텀-CCM) 역율 제어기, 단지 활동가 X2 65 킬로 헤르츠 CCM, 95 V/87 Ｖ 보 |
| 공장 준비 시간: | 29 주 |
| 엠에프르. #: | TC7S02FU, 레프트 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 토시바 |
| 기술: | 논리 게이트는 2개 입력도 또한 게이트를 선발합니다 |
| 공장 준비 시간: | 16 주 |
| 엠에프르. #: | TMC2226-SA |
|---|---|
| 엠에프르.: | ADI 트린아믹 |
| 기술: | 모터 / 이동 / 점화 제어기들 & ; 운전자 스텝 모터 구동기 집적회로, 4.75-29V 공급, 2A, HTSSOP28 |
| 공장 준비 시간: | 22 주 |
| 엠에프르. #: | NCP731ADN330R2G |
|---|---|
| 엠에프르.: | 온새미 |
| 기술: | LDO 전압 조절기 LDO 규제 기관, 150 마, 실행과 외부 연 선도와 38 Ｖ, 8 우브르엠에스 저소음. 3V3, MSOP8 3x3 EP |
| 공장 준비 시간: | 20 주 |
| 엠에프르. #: | RV1S9062ACCSP-10YC#SC0 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 전자공학 |
| 기술: | 고속도 옵토커플러 HI-SPD OPTOCPLR, LSO5, UL, CSA |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | RV1S9162ACCSP-100V#SC0 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 전자공학 |
| 기술: | 고속도 옵토커플러 HI-SPD OPTOCPLR, SO5, UL, CSA, VDE |
| 공장 준비 시간: | 23 주 |
