IC 집적 회로 VOA300-F-X017T SMD-8 옵토커플러
엠에프르. #: | VOA300-F-X017T |
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엠에프르.: | 비샤이 반도체 |
기술: | 광다이오드 출력 옵토커플러 SMD-8은 7 VDE 선형을 옵션으로 합니다 |
공장 준비 시간: | 42 주 |
엠에프르. #: | VOA300-F-X017T |
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엠에프르.: | 비샤이 반도체 |
기술: | 광다이오드 출력 옵토커플러 SMD-8은 7 VDE 선형을 옵션으로 합니다 |
공장 준비 시간: | 42 주 |
엠에프르. #: | LNK3209GQ-TL |
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엠에프르.: | 파워 인테그레이션스 |
기술: | AC / dc 컨버터 850 마 750V |
공장 준비 시간: | 24주 |
엠에프르. #: | NC7WZ07L6X-L22175 |
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엠에프르.: | 온새미 |
기술: | &를 버퍼링합니다 ; 라인 드라이버 타이니로그릭 UHS 듀얼 버퍼 (개방 드레인 출력) |
공장 준비 시간: | 15주 |
엠에프르. #: | EFM32PG23B310F512IM48 C |
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엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
기술: | 팔 마이크로컨트롤러 - MCU 팔 Cortex-M33 32는 80 마하즈 512 kB AES MCU를 물었습니다 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | NC7WZ14L6X-L22175 |
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엠에프르.: | 온새미 |
기술: | 슈미트 트리거 장치 입력과 인버터 타이니로그릭 UHS 듀얼 인버터 |
공장 준비 시간: | 15주 |
엠에프르. #: | NC7SZ32M5X-L22090 |
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엠에프르.: | 온새미 |
기술: | 논리 게이트 타이니로그릭 UHS 2-입력 또는 게이트 |
공장 준비 시간: | 15주 |
엠에프르. #: | LMX2571SRHHTEP |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 위상록트루프 - PLL 강화된 생산물, 저전력인 1.34-GHz, FSK 변조와 극한 온도 RF 합성기 |
공장 준비 시간: | 17 주 |
엠에프르. #: | TLIN14315RGYRQ1 |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 통합된 VREG와 감시기와 12-V 시스템을 위한 LIN 송수신기 자동차 LIN SBC |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | TUSB2E111YCGR |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | USB 인터페이스 IC |
공장 준비 시간: | 27 주 |
엠에프르. #: | TPS7A1601ADGNR |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | LDO 전압은 전력 상태 양호로 100-mA, 60-V, 5-A 정지하는 현재, 저탈락 (LDO) 전압 조절기를 레그레이터스 그리고 가능하게 하세요 |
공장 준비 시간: | 13 주 |
엠에프르. #: | ISOW7721DFMR |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 1/1세 디지털 절연체 저방사, 듀얼-채널은 통합 전원으로 디지털 절연체를 보강했습니다 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LAN8770M-I / PRA |
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엠에프르.: | 마이크로칩 테크놀로지 |
기술: | RGMII 없는 이더넷 ICs 100Base-T1 32QFN |
공장 준비 시간: | 15주 |
엠에프르. #: | VN9008AJTR |
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엠에프르.: | 스트미크로일렉트로닉스 |
기술: | 자동차를 위한 게이트 드라이버 싱글 채널 상부 드라이버 전류 검출 아날로그 피드백 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | AD5423BCPZ |
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엠에프르.: | 아날로그 디바이스주 |
기술: | 디지털 아날로그 변환기 - DAC 1은 채널이 생깁니다 ;16-비트 4to20 마 ; HA와 출력전압 DAC |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | LP591218MDRVREP |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | LDO 전압은 역전류보호로 강화된 생산물, 500-mA, 저잡음, 낮은 iq, 저전압 강하 레귤레이터를 레그레이터스 |
공장 준비 시간: | 19 주 |