메모리 통합 회로 MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | SDRAM - DDR2 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
기술 :: | SDRAM |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 12 나노 초 |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | SDRAM - DDR2 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
기술 :: | SDRAM - DDR2 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | SDRAM - DDR2 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
기술 :: | 플래시 -도 또한 |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 8명의 부인 콤마 2.8 부인 |
기술 :: | SDRAM - DDR3L |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | SDRAM - 모바일 LPSDR |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 15 나노 초 |
기술 :: | 플래시 - NAND |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 비휘발성입니다 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | - |
기술 :: | SDRAM |
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상품 카테고리 :: | 메모리 ics |
기억 영역형 :: | 휘발성 물질 |
Factory Stock :: | 0 |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:: | 14ns |