Bộ mạch tích hợp bộ nhớ MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 12ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 8ms, 2,8ms |
| Công nghệ :: | SDRAM-DDR3L |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Factory Stock :: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 14ns |
