پیام فرستادن
نقل قول
persian
خانه /محصولات/مدارهای مجتمع آی سی/مدارهای یکپارچه IC DN3135N8-G
IC Integrated Circuits DN3135N8-G
IC Integrated Circuits DN3135N8-G

مدارهای یکپارچه IC DN3135N8-G

جزئیات محصول:
محل منبع: ایالات متحده
نام تجاری: Microchip Technology
شماره مدل: DN3135N8-G
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 50 عدد
قیمت: RFQ
جزئیات بسته بندی: ESD / وکیوم / فوم / کارتن
زمان تحویل: بلافاصله. مستقیما
شرایط پرداخت: T/T، Western Union، escrow، Paypal، Visa، MoneyGram
قابلیت ارائه: RFQ
اکنون تماس بگیرید
مشخصات توضیحات محصول درخواست نقل قول
مشخصات
مشخصات
دسته بندی: محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET
ویژگی FET: حالت تخلیه
وضعیت محصول: فعال
نوع نصب: ارتفاع سطح
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: -
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: 120 pF @ 25 V
سری: -
Vgs (حداکثر): ± 20 ولت
بسته بندی: نوار و رول (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel®
بسته دستگاه تامین کننده: TO-243AA (SOT-89)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: 35 اوم @ 150mA، 0 ولت
مفر: فناوری ریزتراشه
دمای کار: -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع FET: کانال N
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 0 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر): 1.3 وات (Ta)
بسته بندی / کیس: TO-243AA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 350 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: 135mA (Tj)
تکنولوژی: ماسفت (اکسید فلز)
شماره محصول پایه: DN3135
توضیحات محصول
کانال N 350 V 135mA (Tj) 1.3W (Ta) سطح نصب TO-243AA (SOT-89)
برچسب:

مدارهای مجتمع آی سی SOIC-8

مدارهای مجتمع آی سی VSON-10

مدارهای مجتمع آی سی PMIC

با ما در تماس باشید
تماس با شخص : Mr. Jack
حرف باقی مانده است(20/3000)
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
sales@zkxwic.com
9:30-18:30
86--18813982051 9:30-18:30
اتاق 406-408، ساختمان Shenfang C، خیابان Huaqiangbei، منطقه Futian، شنژن، چین
درباره ما محصولات تور کارخانه کنترل کیفیت اخبار نقشه سایت سیاست حفظ حریم خصوصی
پیام بگذارید
چین کیفیت خوب مدارهای مجتمع آی سی تامین کننده. حق چاپ © 2023-2024 circuit-integrated.com . تمامی حقوق محفوظ است.