مدارهای مجتمع آی سی کارخانه, با کیفیت خوب بخرید مدارهای مجتمع آی سی محصولات از چین

تماس با شخص :	Coral
شماره تلفن :	+86 15211040646

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N6630US

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	2 μA @ 1000 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.4 V @ 1.4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANS1N6638U/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	500 nA @ 150 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.1 ولت @ 200 میلی آمپر

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANS1N5807

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
دمای عملیاتی - اتصال:	-65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد
نوع نصب:	از طریق سوراخ
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	875 mV @ 4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC UES1304E3

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
دمای عملیاتی - اتصال:	-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد
نوع نصب:	از طریق سوراخ
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.25V @ 3A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5807URS/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	5 µA @ 50 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	875 mV @ 4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5811URS/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	5 µA @ 150 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	875 mV @ 4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC UES1304E3/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
دمای عملیاتی - اتصال:	-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد
نوع نصب:	از طریق سوراخ
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.25V @ 3A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5809URS/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	5 µA @ 100 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	875 mV @ 4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBD

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودهای یکسو کننده آرایه های دیود
وضعیت محصول:	فعال
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) (در هر دیود):	200 میلی آمپر
دمای عملیاتی - اتصال:	-65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1 ولت @ 200 میلی آمپر

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N6628U/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	2 μA @ 660 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.35V @ 2A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBCA

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودهای یکسو کننده آرایه های دیود
وضعیت محصول:	فعال
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) (در هر دیود):	200 میلی آمپر
دمای عملیاتی - اتصال:	-65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1 ولت @ 200 میلی آمپر

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC UES1306/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	20 μA @ 400 V
نوع نصب:	از طریق سوراخ
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.25V @ 3A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC UES1306E3/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	20 μA @ 400 V
نوع نصب:	از طریق سوراخ
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1.25V @ 3A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBD/TR

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودهای یکسو کننده آرایه های دیود
وضعیت محصول:	فعال
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) (در هر دیود):	200 میلی آمپر
دمای عملیاتی - اتصال:	-65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	1 ولت @ 200 میلی آمپر

اکنون تماس بگیرید

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5809URS

دسته بندی:	محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:	فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:	5 µA @ 100 V
نوع نصب:	ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:	875 mV @ 4 A

اکنون تماس بگیرید

مدارهای مجتمع آی سی

مدارهای مجتمع آی سی

مدارهای مجتمع حافظه

پردازنده های جاسازی شده

کنترلرهای تعبیه شده

نیمه هادی های گسسته

ماژول RF بی سیم

جزء مدار منفعل

اجزای حفاظت از مدار

اتصال PCB قابل اتصال

ماژول وای فای جاسازی شده

اجزای اپتوالکترونیک

سنسور مدار مجتمع

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N6630US

مدارهای یکپارچه IC JANS1N6638U/TR

مدارهای یکپارچه IC JANS1N5807

مدارهای یکپارچه IC UES1304E3

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5807URS/TR

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5811URS/TR

مدارهای یکپارچه IC UES1304E3/TR

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5809URS/TR

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBD

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N6628U/TR

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBCA

مدارهای یکپارچه IC UES1306/TR

مدارهای یکپارچه IC UES1306E3/TR

مدارهای یکپارچه IC 1N4150UBD/TR

مدارهای یکپارچه IC JANTXV1N5809URS