مدارهای یکپارچه حافظه MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR3 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR3 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | فلش - نه |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 8 میلی‌ثانیه، 2.8 میلی‌ثانیه |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR3 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR2 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR2 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR2 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR2 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR2 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
