مدارهای یکپارچه حافظه MT29F128G08CFABAWP:B TR
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - LPDDR موبایل |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | 15 ثانیه |
| پکیج:: | BGA |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| سازنده :: | فناوری میکرون |
