مدارهای یکپارچه حافظه MT49H32M18CFM-25:B
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | DRAM |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | SDRAM - موبایل LPDDR4 |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
| فن آوری :: | فلش - NAND |
|---|---|
| رده محصولات :: | آی سی های حافظه |
| نوع حافظه:: | غیر فرار |
| سهام کارخانه:: | 0 |
| زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:: | - |
