| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2,5V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2,5V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2,5V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | Modo de esgotamento |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem do Chassi |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem do Chassi |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 178 nC @ 20 V |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Pacote: | Em granel |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 4,5 mA (tipo) |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-247-4 |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem do Chassi |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem do Chassi |
