| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2,5 V a 1 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2,5 V a 1 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2,5 V a 1 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montaje en chasis |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montaje en chasis |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | El número de unidades de producción |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | En bruto |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.7V @ 4,5 mA (tipo) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-4 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montaje en chasis |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montaje en chasis |
