Интегрированные схемы памяти MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
| Технология:: | Flash - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | Flash - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | Flash - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | SDRAM — Мобильный LPSDR |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | 15ns |
| Технология:: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | SDRAM - Мобильное LPDDR |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | 14.4ns |
| Технология:: | Flash - NAND |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | SDRAM - Мобильное LPDDR |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | 14.4ns |
| Технология:: | SDRAM - мобильная LPDDR2 |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | DRAM |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | Flash - NAND |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | Flash - NAND |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | ВСПЫШКА - НИ |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | 8ms, 2.8ms |
| Технология:: | Flash - NAND |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
| Технология:: | ВСПЫШКА - НИ |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Нелетающие |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | 60ns |
| Технология:: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| Категория продуктов:: | Мемориальные микросхемы |
| Тип памяти:: | Испаряющий |
| Фабричный запас:: | 0 |
| Напишите время цикла - слово, страница:: | - |
