Bộ mạch tích hợp bộ nhớ MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
| Công nghệ :: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPSDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 15ns |
| Công nghệ :: | SDRAM-DDR3L |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 14,4ns |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 14,4ns |
| Công nghệ :: | SDRAM - LPDDR2 di động |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | DRAM |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 8ms, 2,8ms |
| Công nghệ :: | FLASH-NAND |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
| Công nghệ :: | FLASH - CŨNG KHÔNG |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | không bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | 60ns |
| Công nghệ :: | SDRAM-DDR3L |
|---|---|
| Danh mục sản phẩm :: | IC bộ nhớ |
| Loại bộ nhớ:: | Bay hơi |
| Chứng khoán nhà máy:: | 0 |
| Thời gian chu kỳ viết - Word, Page :: | - |
