| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Temperatura de funcionamiento - empalme: | - |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 30 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Temperatura de funcionamiento - Enlace: | - |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.5 V @ 10 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 3.3 V @ 30 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 690 mV @ 5 A |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Tamaño de la memoria: | 16 Kbit |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Cintas y bobinas (TR) |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Envases |
| Serie: | Sección 38 |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Cintas y bobinas (TR) |
| Serie: | La SST39 MPFTM se aplica a los vehículos de las categorías A y B. |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Cintas y bobinas (TR) |
| Serie: | Sección 38 |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Envases |
| Serie: | Sección 38 |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Envases |
| Serie: | Sección 38 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Temperatura de funcionamiento - empalme: | -65 °C ~ 150 °C |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 500 mV @ 3 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 2.5 mA @ 1200 V |
| Tipo de montaje: | Montaje en chasis |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 2.5 V @ 500 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 9 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
