IC วงจรบูรณาการ ATSAMD21J15B-MUT
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 52 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 52 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-TQFP |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 52 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-TQFP |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-TQFP |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 52 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
