logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F16G08ADACAH4-IT:C TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F16G08ADACAH4-IT:C TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F16G08ABCBBH1-12:B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4JV-5 WT:B

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4JV-5 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08CFABAWP:B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08CFABAWP:B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M32LFB5-6 AT:C

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M32LFB5-6 AT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-6 WT:B

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-6 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAZBADKD-5 IT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAZBADKD-5 IT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา 28F256J3C125 BGA

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา 28F256J3C125 BGA

บรรจุุภัณฑ์ :: บช.น
บรรจุภัณฑ์ :: เทป & รีล (TR)
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
เป็นไปตามมาตรฐาน :: สีเขียวที่มีอยู่
ผู้ผลิต :: เทคโนโลยีไมครอน
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT44K32M18RB-107:A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT44K32M18RB-107:A

เทคโนโลยี :: แรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้