logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PC28F256P33T85A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PC28F256P33T85A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13BF840F TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13BF840F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D512M32D2NP-046 AUT:D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D512M32D2NP-046 AUT:D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F256P30B95A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F256P30B95A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 95ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11TF840F TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11TF840F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา JS28F320J3D75E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา JS28F320J3D75E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 75ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC48F4400P0VB00A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC48F4400P0VB00A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D768M32D4BD-053 WT:C

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D768M32D4BD-053 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F128P30T85A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F128P30T85A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D512M64D4NW-062 WT:D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D512M64D4NW-062 WT:D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B512M64D4NW-062 WT:D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B512M64D4NW-062 WT:D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F128J3D75A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F128J3D75A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 75ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D8DAHR-DC

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D8DAHR-DC

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W160ET70N3E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W160ET70N3E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้