logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F008B3VG-9 B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F008B3VG-9 B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 90ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B2DANW-DC TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B2DANW-DC TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND256W3A2BZA6E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND256W3A2BZA6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 50ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B5VG-8 TET TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B5VG-8 TET TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 80ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF8164A3MA-GD-F-D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF8164A3MA-GD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W800DB70N6E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W800DB70N6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B5VG-8 BET TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B5VG-8 BET TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 80ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q064A13EF8A0E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q064A13EF8A0E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B3VG-8 TET TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT28F004B3VG-8 TET TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 80ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W640FB70N6E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W640FB70N6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้