| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น |
|---|---|
| ความดันตก (สูงสุด): | 0.35V @ 100mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 125 °C |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| ลักษณะป้องกัน: | อุณหภูมิเกินแรง |
| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น |
|---|---|
| ความดันตก (สูงสุด): | 0.35V @ 100mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 125 °C |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| ลักษณะป้องกัน: | อุณหภูมิเกินแรง |
| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น |
|---|---|
| ความดันตก (สูงสุด): | 0.35V @ 100mA, 0.35V @ 100mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 125 °C |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| ลักษณะป้องกัน: | กระแสเกิน, อุณหภูมิเกิน, ขั้วย้อนกลับ |
| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น |
|---|---|
| ความดันตก (สูงสุด): | 0.65V @ 500mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 125 °C |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| ลักษณะป้องกัน: | อุณหภูมิเกินแรง |
| ประเภท: | วงจรรวม (ICs) การจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น |
|---|---|
| ความดันตก (สูงสุด): | 0.6V @ 500mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 125 °C |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| ลักษณะป้องกัน: | กระแสเกิน, อุณหภูมิเกิน, ขั้วย้อนกลับ |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 14-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| จำนวน I/O: | 12 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| จำนวน I/O: | 6 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.) |
| จำนวน I/O: | 17 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.) |
| จำนวน I/O: | 18 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 25 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 26 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 25 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 25 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 21 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 4.5V~5.5V |
