IC วงจรบูรณาการ AT49F008AT-12TC
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ตะกร้า |
ซีรี่ย์: | - |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ตะกร้า |
ซีรี่ย์: | - |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 18.2 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 24 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 15.2 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 20 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 13.7 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 18 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ตะกร้า |
ซีรี่ย์: | - |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 12.2 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 16 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 9.9 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 13 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 9.1 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Mbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 8.4 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 11 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 8 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 10 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 51.2 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 68 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 47.1 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 62 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 42.6 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 56 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
ซีรี่ย์: | SST39 MPF™ |