IC วงจรบูรณาการ PIC16LF1455-E/P
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 14-DIP (0.300", 7.62 มม.) |
จำนวน I/O: | 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 14-DIP (0.300", 7.62 มม.) |
จำนวน I/O: | 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 3 µA @ 1 V |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 3.6 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 25 โวลต์ |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 33 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 nA @ 76 โวลต์ |
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 100 โวลต์ |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 20-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
จำนวน I/O: | 18 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V~5.5V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 44-TQFP |
จำนวน I/O: | 35 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~5.5V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
จำนวน I/O: | 52 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 28-SSOP (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.) |
จำนวน I/O: | 24 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.) |
จำนวน I/O: | 5 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V~5.5V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 20-SSOP (0.209", 5.30 มม.) |
จำนวน I/O: | 14 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~5.5V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 20-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
จำนวน I/O: | 18 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 36-VFQFN แผ่นสัมผัส |
จำนวน I/O: | 29 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V ~ 3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 44-TQFP |
จำนวน I/O: | 36 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 20-SSOP (0.209", 5.30 มม.) |
จำนวน I/O: | 14 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
---|---|
กล่อง / กระเป๋า: | 48-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
จำนวน I/O: | 38 |
อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |