IC วงจรบูรณาการ ATSAM3S8BA-MU
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 47 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 47 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-SSOP (0.209", 5.30 มม.) |
| จำนวน I/O: | 17 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-TQFP |
| จำนวน I/O: | 53 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.) |
| จำนวน I/O: | 18 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.63V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SSOP (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.) |
| จำนวน I/O: | 22 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 4V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 44-TQFP |
| จำนวน I/O: | 34 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.6V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 53 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 25 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-VQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 21 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 40-DIP (0.600", 15.24 มม.) |
| จำนวน I/O: | 33 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 4V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-UQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 21 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.209", ความกว้าง 5.30 มม.) |
| จำนวน I/O: | 5 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.5V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-TQFP |
| จำนวน I/O: | 49 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | แผ่นรองสัมผัส 20-UFQFN |
| จำนวน I/O: | 18 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 44-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 32 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
